光催化氧化技術(shù),源和環(huán)保為您介紹!
之前有為大家介紹了UV光解和光催化氧化技術(shù)里面的光解技術(shù),源和環(huán)保小編接著為您介紹光催化技術(shù),一般情況下我們又稱其為光氧催化技術(shù)。
1、半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)通常是由一個充滿電子的地價帶和一個高空的高能導(dǎo)帶構(gòu)成,價帶和導(dǎo)帶之間的區(qū)域稱為禁帶,域的大小稱為禁帶寬度。半導(dǎo)體的禁帶寬度一般為0.2~3.0eV是一個不連續(xù)區(qū)域。半導(dǎo)體的光催化特性就是由它的特殊能帶結(jié)構(gòu)所決定的。當(dāng)用能量等于或大于半導(dǎo)體帶隙能的光波輻射半導(dǎo)體時,處于價帶上的電子就會被激發(fā)到導(dǎo)帶上并在電場作用下遷移到離子表面,于是在價帶上形成了空穴,從而產(chǎn)生了具有高活性的空穴電子對空穴可以奪取半導(dǎo)體表面被吸附物質(zhì)或溶劑中的電子,使原本不吸收光的物質(zhì)被激活并被氧化,電子受體通過接受表面的電子而被還原。
2、光催化技術(shù)原理
1972年,日本 Fujishima發(fā)現(xiàn)了光催化現(xiàn)象。1999年由于納米技術(shù)得到了突破性進(jìn)展光催化終于正式登上了國際研究舞臺。經(jīng)過多年的研究和積累,光催化產(chǎn)品的技術(shù)與應(yīng)用等已相當(dāng)成熟。
TiO2屬于一種n型半導(dǎo)體材料,它的禁帶寬度為3.2ev(銳鈦礦),當(dāng)它受到波長小于或等于387.5nm的光(紫外光)照射時,價帶的電子就會獲得光子的能量而躍遷至導(dǎo)帶,形成光生電子(e);而價帶中則相應(yīng)地形成光生空穴(h+),如圖9-1所示。
光氧催化是利用TiO2作為催化劑的光催化過程,光催化是利用紫外光波照射TIO2,在有水分的情況下產(chǎn)生羥基自由基(?OH)和活性氧物質(zhì)(?O2 ,H2O?),其中羥基自由基(?OH)是光催化反應(yīng)中一種主要的活性物質(zhì),對光催化氧化起決定作用。羥基自由基具有很高的反應(yīng)能(120kJ/molD),高于有機物中的各類化學(xué)鍵能,如C-C(83kJ/mol)、C-H(99kJ/mol)、C-N(73kJ/mol)、C-O(84k/mol)、H-O(11lkJ/mol)、N-H(93k/mol),因而能迅速有效地分解揮發(fā)性有機物和構(gòu)成細(xì)菌的有機物,再加上其他活性氧物質(zhì)(?O2,H2O?)的協(xié)同作用,其氧化更加迅速。能氧化絕大部分的有機物及無機污染物,將其礦化為無機小分子、CO2和H2O
等無害物質(zhì)。反應(yīng)過程如下:
TiO2+hυ→h++e-
h+ + e- → 熱能
h++OH- → ?OH
h++OH- → ?OH+H+
e-+O2 → ?O2-
O2+H+ → HO2?
2H2 O? → O2+H2O2
H2O2+O2 → ?OH+H++O2
?OH+dye→…→CO2+H2O
H++dye→…→CO2+H2O
由機理反應(yīng)可知,TiO2光催化降解有機物,實質(zhì)上是一種自由基反應(yīng)。
光催化技術(shù)是在設(shè)備中添加納米級活性材料,在紫外光的作用下,產(chǎn)生更為強烈的催化降解功能。納米活性材料光生空穴的氧化電位以標(biāo)準(zhǔn)氫電位為3.0V,比臭氧的2.07V和氯氣的1.36V高許多,具有很強的氧化性。在光照射下,活性材料能吸收相當(dāng)于帶隙能量以下的光能,使其表面發(fā)生激勵而產(chǎn)生電子(e-)和空穴(h+),這些電子和空穴具有極強的還原和氧化能力,能與水或容存的氧反應(yīng),迅速產(chǎn)生氧化能力極強的氫氧根自由基(?OH)和超氧陰離子(?O2)。?OH具有很高的氧化電位,是一種強氧化基團,它能夠氧化大多數(shù)有機污染物,使原本不吸收光的物質(zhì)直接氧化分解。
常見的光催化劑多為金屬氧化物和硫化物,如TiO2、ZnO、CdS、WO3等,其中TiO2的綜合性能最好,應(yīng)用最廣。
大多數(shù)揮發(fā)性的有機化合物在這種紫外光能和納米活性催化氧化的共同作用下,能在2~3s時間內(nèi)被充分降解,光催化氧化技術(shù)對揮發(fā)性有機廢氣污染物催化反應(yīng)條件溫和,有機物分解迅速,產(chǎn)物為CO2和H2O或其他小分子物質(zhì),而且適用范國廣,包括烴、醇、醛、嗣、氨等有機物,都能通過TiO2光催化清除。
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